GS8161Z36DGD-333I
GS8161Z36DGD-333I
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- 品牌名称
- 广船国际技术
- 商品型号
- GS8161Z36DGD-333I
- 商品编号
- C7282756
- 商品封装
- FPBGA-165(13x15)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
GS8161Z18D(GT/D)/GS8161Z32D(D)/GS8161Z36D(GT/D)是一款18Mbit同步静态SRAM。GSI的NBT SRAM，如ZBT、NtRAM、NoBL或其他流水线读取/双延迟写入或直通读取/单延迟写入SRAM，通过消除设备从读取周期切换到写入周期时插入取消选择周期的需要，实现了对所有可用总线带宽的利用。由于它是同步设备，地址、数据输入和读写控制输入在输入时钟的上升沿被捕获。突发顺序控制（LBO）必须连接到电源轨才能正常工作。异步输入包括睡眠模式使能、ZZ和输出使能。输出使能可用于覆盖输出驱动器的同步控制，并在任何时候关闭RAM的输出驱动器。写入周期在内部自定时，并由时钟输入的上升沿启动。这一特性消除了异步SRAM所需的复杂片外写入脉冲生成，并简化了输入信号时序。GS8161Z18D(GT/D)/GS8161Z32D(D)/GS8161Z36D(GT/D)可由用户配置为以流水线或直通模式运行。作为流水线同步设备运行时，除了捕获输入信号的上升沿触发寄存器外，该设备还包含一个上升沿触发的输出寄存器。对于读取周期，流水线SRAM输出数据在访问周期期间由边沿触发的输出寄存器临时存储，然后在时钟的下一个上升沿释放到输出驱动器。GS8161Z18D(GT/D)/GS8161Z32D(D)/GS8161Z36D(GT/D)采用GSI的高性能CMOS技术实现，并提供JEDEC标准的165凸点BGA封装。
商品特性
- 用户可配置的流水线和直通模式
- NBT（无总线反转）功能允许零等待的读写读总线利用率
- 与流水线和直通NtRAM、NoBL和ZBT SRAM完全引脚兼容
- IEEE 1149.1 JTAG兼容边界扫描
- 1.8V、2.5V或3.3V ±10%的核心电源
- 用于线性或交错突发模式的LBO引脚
- 与2Mb、4Mb、8Mb、36Mb、72Mb和144Mb设备引脚兼容
- 字节写入操作（9位字节）
- 3个芯片使能信号，便于深度扩展
- 用于自动掉电的ZZ引脚
- JEDEC标准的165凸点BGA封装
- 符合RoHS标准的100引脚TQFP和165凸点BGA封装