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P3M06300T3

1个N沟道耐压:650V 电流:9A

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品牌名称: PN Junction
商品型号: P3M06300T3
商品编号: C7256045
商品封装: TO-220-2L
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

Power MOS 8TM是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。此“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过降低反向恢复时间（trr）、实现软恢复和具备高恢复dv/dt能力，可在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中实现高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的Crss/Ciss比值，使其具备出色的抗噪性能和低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制di/dt，即使在非常高的频率下进行开关操作，也能实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联。

商品特性

高阻断电压与低导通电阻
高频运行
超小栅漏电荷(Qgd)
100%进行了单向雪崩耐量(UIS)测试

应用领域

太阳能逆变器
有源钳位反激、 LLC 谐振、D 类放大器
移动快速充电器、适配器
笔记本电脑适配器
高压 DC/DC 转换器
开关模式电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	500mΩ@15V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	35W
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V
	反向传输电容(Crss)	3.35pF
	工作温度	-55℃~+175℃