P3M12080G7
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:32A
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- 品牌名称
- PN Junction
- 商品型号
- P3M12080G7
- 商品编号
- C7256048
- 商品封装
- D2PAK-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.907克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 96mΩ@15V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.032nF@800V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@800V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
NTE67是一款采用TO220封装的TMOS功率场效应晶体管，专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、转换器、螺线管和继电器驱动器。
商品特性
- 更低的导通电阻RDS(ON)
- 增强的电感耐用性
- 快速开关时间
- 更低的输入电容
- 扩展的安全工作区
- 提高的高温可靠性
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