NTE2361
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 200 | |
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NTE2361（NPN）和NTE2362（PNP）互补硅晶体管专为通用放大器和高速开关应用而设计。这些器件的高增益使其能够直接由集成电路驱动。
商品特性
- 超小尺寸封装
- 高击穿电压：VCEO = 50V
- 绝对最大额定值（TA = +25℃，除非另有说明）：集电极 - 基极电压VCBO 60V；集电极 - 发射极电压VCEO 50V；发射极 - 基极电压VEBO 5V；集电极电流IC连续500mA，峰值800mA；集电极耗散PC 300mW；工作结温范围Td -55℃至 +150℃；储存温度范围TStg -55℃至 +150℃