NTE2383
1个P沟道 耐压:100V 电流:10.5A
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- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE2383
- 商品编号
- C7250207
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 835pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
专为高达400 MHz范围的宽带大信号输出和驱动级设计。
商品特性
-更低的RDS(ON)-增强的电感耐用性-快速开关时间-坚固的多晶硅栅极单元结构-更低的输入电容-扩展的安全工作区-提高的高温可靠性