NTE2383
1个P沟道 耐压:100V 电流:10.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE2383
- 商品编号
- C7250207
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V,5.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 835pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
专为高达400 MHz范围的宽带大信号输出和驱动级设计。
商品特性
- 保证28 V、150 MHz性能
- 小信号和大信号特性
- 在所有相位角下以30:1的电压驻波比（VSWR）对负载失配进行100%测试
- 低噪声系数 — 在1.0 A、150 MHz条件下为1.5 dB（典型值）
- 出色的热稳定性，非常适合A类工作
- 便于手动增益控制、自动电平控制（ALC）和调制技术