NTE190
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 180V | |
| 耗散功率(Pd) | 10W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 40 | |
| 特征频率(fT) | 35MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NTE190是一款采用TO202N型封装的NPN硅晶体管，专为水平驱动应用、高压线性放大器和高压晶体管稳压器而设计。
商品特性
- 高集电极 - 发射极击穿电压：V(BR)CEO = 180V（最小值），IC = 1mA
- 低集电极 - 发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.5V（最大值），IC = 200mA
- 高功率耗散：PD = 10W，TC = +25°C