MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR
商品编号: C7235706
商品封装: TFSOP-48-18.4mm
包装方式: 编带
商品毛重: 0.919克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	700us
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+105℃
	待机电流	100uA
	擦写寿命	10万次
	功能特性	硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；复制回写功能

商品概述

MT29F系列1Gb单层单元NAND闪存器件提供开放NAND闪存接口1.0兼容的异步接口。这些器件采用单层单元技术，提供每页2112字节（2048+64）的页大小、每块64页（128K+4K字节）的块大小以及每器件1024块（1Gb）的密度。它们支持2.7V~3.6V和1.7V~1.95V的宽电压范围，并提供商业级（0℃~+70℃）和工业级（-40℃~+85℃）温度选项。该系列支持高级功能，包括页面缓存模式、一次性可编程模式、双平面命令、内部数据搬移和块锁定功能。操作状态字节和就绪/忙信号提供了检测操作完成和状态的方法。器件支持每块100,000次编程/擦除周期，并符合JESD47数据保持标准。提供48引脚TSOP Type 1和63球VFBGA封装。

商品特性

兼容开放NAND闪存接口1.0
采用单层单元技术
组织结构：x8位宽页大小2112字节（2048+64字节）；x16位宽页大小1056字（1024+32字）；块大小64页（128K+4K字节）；平面大小每器件2个平面，每平面512块；器件大小1Gb：1024块
异步I/O性能：tRC/tWC：20ns（3.3V），25ns（1.8V）
阵列性能：读页25μs；编程页200μs（典型值，3.3V和1.8V）；擦除块700μs（典型值）
命令集：ONFI NAND闪存协议
高级命令集：页面缓存编程模式；页面缓存读取模式；一次性可编程模式；双平面命令；读取ID；内部数据搬移；块锁定（仅1.8V）
操作状态字节提供检测操作完成、通过/失败条件以及写保护状态的软件方法
支持器件内部的内部数据搬移操作
就绪/忙信号提供检测操作完成的硬件方法
WP信号用于写保护整个器件
出厂时第一个块（块地址00h）带有ECC，为有效块。关于最低要求的ECC，请参见错误管理部分
如果编程/擦除周期少于1000次，块0需要1位ECC
上电后需要将复位命令作为第一条命令
上电后器件初始化的替代方法（请联系工厂）
质量与可靠性：数据保持符合JESD47标准；耐久性：100,000次编程/擦除周期
工作电压范围：VCC：2.7V~3.6V；VCC：1.7V~1.95V
工作温度：商业级：0℃~+70℃；工业级：-40℃~+85℃
封装：48引脚TSOP Type 1，CPL

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	1Gbit
	接口类型	Parallel
	时钟频率(fc)	-
	工作电压	2.7V~3.6V
	写周期时间(Tw)	20ns
	页写入时间(Tpp)	200us