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MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E

MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E

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品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E
商品编号
C7235717
商品封装
TFSOP-48-18.4mm​
包装方式
托盘
商品毛重
2.307克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量2Gbit
接口类型Parallel
时钟频率(fc)-
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(Tw)-
页写入时间(Tpp)200us
属性参数值
块擦除时间(tBE)700us
数据保留 - TDR(年)-
工作温度-40℃~+105℃
待机电流-
擦写寿命10万次
功能特性硬件复位功能;硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;ECC纠错功能;复制回写功能

商品特性

  • 符合开放NAND闪存接口(ONFI)1.0标准
  • 单层单元(SLC)技术
  • 组织架构:页大小x8:2112字节(2048 + 64字节);页大小x16:1056字(1024 + 32字);块大小:64页(128K + 4K字节);平面大小:2平面 x 每平面1024块;设备大小:2Gb:2048块
  • 异步I/O性能:tRC / tWC:20纳秒(3.3V),25纳秒(1.8V)
  • 阵列性能:读页:25微秒;编程页:200微秒(典型值:1.8V,3.3V);擦除块:700微秒(典型值)
  • 命令集:ONFI NAND闪存协议
  • 高级命令集:编程页缓存模式;读页缓存模式;一次性可编程(OTP)模式;双平面命令;交错芯片(LUN)操作;读取ID;块锁定(仅1.8V);内部数据移动
  • 操作状态字节提供检测操作完成和通过/失败条件的软件方法
  • 写保护状态
  • 就绪/忙#(R/B#)信号提供检测操作完成的硬件方法
  • WP#信号:写保护整个设备
  • 第一个块(块地址00h)在出厂时带有ECC有效
  • 如果编程/擦除周期少于1000,块0需要1位ECC
  • 上电后第一个命令需要RESET(FFh)
  • 内部数据移动操作在读取数据的平面内支持
  • 质量和可靠性:数据保持:10年;耐久性:100,000次编程/擦除周期
  • 工作电压范围:VCC:2.7 - 3.6 V;VCC:1.7 - 1.95 V
  • 工作温度:汽车工业级(AIT):-40℃ 至 +85℃;汽车级(AAT):-40℃ 至 +105℃
  • 封装:48引脚TSOP类型1,CPL;63球VFBGA

数据手册PDF