MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E
MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E
- 商品编号
- C7235717
- 商品封装
- TFSOP-48-18.4mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 2.307克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 200us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 700us | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能;硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;ECC纠错功能;复制回写功能 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口(ONFI)1.0标准
- 单层单元(SLC)技术
- 组织架构:页大小x8:2112字节(2048 + 64字节);页大小x16:1056字(1024 + 32字);块大小:64页(128K + 4K字节);平面大小:2平面 x 每平面1024块;设备大小:2Gb:2048块
- 异步I/O性能:tRC / tWC:20纳秒(3.3V),25纳秒(1.8V)
- 阵列性能:读页:25微秒;编程页:200微秒(典型值:1.8V,3.3V);擦除块:700微秒(典型值)
- 命令集:ONFI NAND闪存协议
- 高级命令集:编程页缓存模式;读页缓存模式;一次性可编程(OTP)模式;双平面命令;交错芯片(LUN)操作;读取ID;块锁定(仅1.8V);内部数据移动
- 操作状态字节提供检测操作完成和通过/失败条件的软件方法
- 写保护状态
- 就绪/忙#(R/B#)信号提供检测操作完成的硬件方法
- WP#信号:写保护整个设备
- 第一个块(块地址00h)在出厂时带有ECC有效
- 如果编程/擦除周期少于1000,块0需要1位ECC
- 上电后第一个命令需要RESET(FFh)
- 内部数据移动操作在读取数据的平面内支持
- 质量和可靠性:数据保持:10年;耐久性:100,000次编程/擦除周期
- 工作电压范围:VCC:2.7 - 3.6 V;VCC:1.7 - 1.95 V
- 工作温度:汽车工业级(AIT):-40℃ 至 +85℃;汽车级(AAT):-40℃ 至 +105℃
- 封装:48引脚TSOP类型1,CPL;63球VFBGA
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- CTRL5480F-4-822K
- CTRL5480F-5-154K
- CTRL5480F-5-220K
- CTRL5480F-5-222K
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- CTRL5480F-5-5R6K
- CTRL5480F-5-681K
- CTRL6050F-270M
- CTRL6050F-390M
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