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IS61WV102416FBLL-8BLI实物图
  • IS61WV102416FBLL-8BLI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IS61WV102416FBLL-8BLI

1M x 16高速异步CMOS静态RAM,3.3V/1.8V供电

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
是高速、16M 位静态随机存取存储器,组织为 1024K 字 x 16 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可生产出高性能、低功耗的器件。当 CS# 为高电平(未选中)时,器件进入待机模式,此时可通过 CMOS 输入电平降低功耗。通过使用片选和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE#) 控制存储器的读写。数据字节允许访问上字节 (UB#) 和下字节 (LB#)。器件采用 JEDEC 标准 48 引脚 TSOP(I 型)、48 引脚微型 BGA(6mm x 8mm)和 54 引脚 TSOP(II 型)封装。
品牌名称
ISSI(美国芯成)
商品型号
IS61WV102416FBLL-8BLI
商品编号
C7211320
商品封装
TFBGA-48(6x8)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
存储容量16Mbit
工作电压2.4V~3.6V
属性参数值
读写时间8ns
工作温度-40℃~+85℃
待机电流40mA

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