IS61WV102416FBLL-8BLI
1M x 16高速异步CMOS静态RAM,3.3V/1.8V供电
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- 描述
- 是高速、16M 位静态随机存取存储器,组织为 1024K 字 x 16 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可生产出高性能、低功耗的器件。当 CS# 为高电平(未选中)时,器件进入待机模式,此时可通过 CMOS 输入电平降低功耗。通过使用片选和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE#) 控制存储器的读写。数据字节允许访问上字节 (UB#) 和下字节 (LB#)。器件采用 JEDEC 标准 48 引脚 TSOP(I 型)、48 引脚微型 BGA(6mm x 8mm)和 54 引脚 TSOP(II 型)封装。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS61WV102416FBLL-8BLI
- 商品编号
- C7211320
- 商品封装
- TFBGA-48(6x8)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 工作电压 | 2.4V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 8ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 40mA |
优惠活动
购买数量
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