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IS62WV51216HBLL-45TLI
512Kx16低电压超低功耗CMOS静态RAM
- 描述
- IS62/65WV51216HALL/BLL是高速、低功耗的8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高可靠性的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS62WV51216HBLL-45TLI
- 商品编号
- C7211338
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 2.2V~3.6V | |
| 读写时间 | 45ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 25mA | |
| 待机电流 | 6uA |