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IPB180N04S4H0ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:180A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB180N04S4H0ATMA1
- 商品编号
- C7210838
- 商品封装
- TO-263-7-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 225nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 17.94nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- N沟道增强型
- 符合AEC标准
- 最高260°C峰值回流温度的MSL1等级
- 工作温度达175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 超低导通电阻Rds(on)
- 100%雪崩测试