DRV8300UDIPWR
三相半桥门驱动器,驱动N沟道MOSFET,集成自举二极管
- 描述
- DRV8300U 具有自举二极管和增强型 UVLO 保护的 100V(最大值)简单三相栅极驱动器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- DRV8300UDIPWR
- 商品编号
- C7172545
- 商品封装
- TSSOP-20
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边;高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 750mA | |
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 10ns | |
| 下降时间(tf) | 5ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
DRV8300U是100V三相半桥栅极驱动器,能够驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。DRV8300UD使用集成的自举二极管和外部电容器为高端MOSFET生成正确的栅极驱动电压。GVDD用于为低端MOSFET生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达750mA的源电流峰值和1.5A的灌电流峰值。
相引脚SHx能够承受显著的负电压瞬变;而高端栅极驱动器电源BSTx和GHx能够支持更高的正电压瞬变(绝对最大电压125V),这提高了系统的鲁棒性。小的传播延迟和延迟匹配规格最小化了死区时间要求,从而进一步提高了效率。通过GVDD和BST欠压锁定为低端和高端提供欠压保护。
商品特性
- 100V三相半桥栅极驱动器
- 驱动N沟道MOSFET(NMOS)
- 栅极驱动器电源(GVDD):5 - 20V
- MOSFET电源(SHx)支持高达100V
- 集成自举二极管(DRV8300UD器件)
- 支持反相和同相INLx输入
- 自举栅极驱动架构
- 750mA源电流
- 1.5A灌电流
- 支持高达15S电池供电应用
- 更高的BSTUV(典型值8V)和GVDDUV(典型值7.6V)阈值,以支持标准MOSFET
- SHx引脚低泄漏电流(<55µA)
- 绝对最大BSTx电压高达125V
- SHx支持高达 - 22V的负瞬变
- 内置交叉导通保护
- 通过DT引脚为QFN封装变体提供可调死区时间
- TSSOP封装变体固定插入200nS死区时间
- 支持3.3V和5V逻辑输入,绝对最大20V
- 典型传播延迟匹配4nS
- 紧凑的QFN和TSSOP封装
- 通过功率模块实现高效系统设计
- 集成保护功能
- BST欠压锁定(BSTUV)
- GVDD欠压(GVDDUV)
应用领域
- 电动自行车、电动滑板车和电动交通工具
- 风扇、泵和伺服驱动器
- 无刷直流(BLDC)电机模块和永磁同步电机
- 无绳园艺和电动工具、割草机
- 无绳真空吸尘器
- 无人机、机器人和遥控玩具
- 工业和物流机器人
- DRV8300UDPWR
- DRV8714HQPHPRQ1
- DTS20F21-39SN-6149 [V001]
- 228ADS1AAFCBBE
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- 228ADS1AAFCRC
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- DTS20F21-75BE [V001]
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