XPN7R104NC,L1XHQ
1个N沟道 耐压:40V 电流:20A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- XPN7R104NC,L1XHQ
- 商品编号
- C7158472
- 商品封装
- TSON-8(3.1x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07956克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.1mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 65W；840mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.29nF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 小型、薄型封装
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 5.6 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值),VDS = 40 V
- 增强型:Vth = 1.5 至 2.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.2 mA)
应用领域
- 汽车领域
- 开关电压调节器
- DC - DC 转换器
- 电机驱动器
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