XK1R9F10QB,LXGQ
1个N沟道 耐压:100V 电流:160A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- XK1R9F10QB,LXGQ
- 商品编号
- C7159294
- 商品封装
- TO-220SM(W)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.92mΩ@10V,80A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 184nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.5nF@10V |
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.6 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值),VDS = 100 V
- 增强型:V_th = 2.5至3.5 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
应用领域
- 汽车领域
- 开关稳压器
- DC-DC转换器
- 电机驱动器
