CY15V116QN-40BKXIT

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: CY15V116QN-40BKXIT
商品编号: C7156217
商品封装: FBGA-24(6x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.166克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	铁电存储器(FRAM)

	属性	参数值
	功能特性	工作状态指示

商品概述

EXCELON™ LP CY15X116QN是一款低功耗、16Mb非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它在提供151年可靠数据保持的同时，消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，CY15X116QN以总线速度执行写操作，没有写入延迟。数据在成功传输到器件后立即写入存储器阵列，无需数据轮询即可开始下一个总线周期。此外，该产品提供了比其他非易失性存储器高得多的写入耐久性，能够支持10¹⁵次读/写周期，比EEPROM多1000亿次写入周期。这些特性使其成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择，例如从写入次数可能至关重要的数据采集，到串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失的严苛工业控制。对于串行EEPROM或闪存的用户，CY15X116QN可作为硬件直接替换品，提供显著优势。该器件采用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。器件包含只读器件ID和ID功能，允许主机确定制造商、产品密度、产品版本和每个部件的ID。器件还提供可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定电路板或系统。

商品特性

16Mb铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为2048K × 8
几乎无限的耐久性，达1000万亿（10¹⁵）次读/写
151年数据保持
Infineon即时非易失性写入技术
先进的高可靠性铁电工艺
快速串行外设接口（SPI）
频率高达40 MHz
支持SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1）
复杂的写保护方案
使用写保护（WP）引脚的硬件保护
使用写禁止（WRDI）指令的软件保护
针对1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
器件ID和序列号
制造商ID和产品ID
器件ID
序列号
专用的256字节特殊扇区F-RAM
专用的特殊扇区写入和读取
存储内容可经受多达三次标准回流焊循环
低功耗
40MHz下工作电流典型值为2.7 mA
待机电流典型值为14 μA
深度掉电模式电流典型值为1.10 μA
休眠模式电流典型值为0.1 μA
低电压工作
VDD = 1.71V ~ 1.89V
VDD = 1.8V ~ 3.6V
工业级工作温度：-40℃ ~ +85℃
封装：24焊球细间距球栅阵列（24焊球FBGA）
符合有害物质限制（RoHS）规定

数据手册PDF

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