CY62157G18-55BVXAT

CY62157G是一款高性能CMOS低功耗（MoBL）静态随机存取存储器（SRAM）设备，内置纠错码（ECC）。该设备具有双芯片使能功能。双芯片使能设备通过将两个芯片使能输入置为有效状态来访问，即CE₁（上划线）置为低电平，CE₂置为高电平。数据写入通过将写使能输入（WE）置为低电平，并分别在设备数据（I/O₀至I/O₁₅）和地址（A₀至A₁₉）引脚上提供数据和地址来实现。字节高/低使能（BHE、BLE）输入控制字节写入，并将相应I/O线上的数据写入指定的存储位置。BHE控制I/O₈至I/O₁₅；BLE控制I/O₀至I/O₇。数据读取通过将输出使能（OE）输入置为有效状态，并在地址线上提供所需地址来实现。读取的数据可在I/O线（I/O₀至I/O₁₅）上获取。通过将所需的字节使能信号（BHE、BLE）置为有效状态，可以进行字节访问，从指定地址位置读取数据的高字节或低字节。当设备被取消选择（对于双芯片使能设备，CE₁为高电平/CE₂为低电平）或控制信号被置为无效状态（OE、BLE和BHE）时，所有I/O（I/O₀至I/O₁₅）都处于高阻状态。这些设备还具有独特的“字节掉电”功能，如果两个字节使能（BHE和BLE）都被禁用，无论芯片使能状态如何，设备都会无缝切换到待机模式，从而节省功耗。CY62157G设备提供无铅48球VFBGA、48引脚TSOP I和44引脚TSOP II封装。

• 通过AEC - Q100认证
• 超低待机功耗
• 典型待机电流：5μA
• 最大待机电流：35μA
• 高速：45 ns/55 ns
• 内置纠错码（ECC），用于单比特错误纠正
• 温度范围：汽车A类： - 40°C至 + 85°C
• 宽工作电压范围：1.65 V至2.2 V，2.2 V至3.6 V
• 1.5 V数据保持
• 晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）兼容输入和输出
• 提供无铅48球VFBGA、48引脚TSOP II和44引脚TSOP I封装