商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 590A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 50nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.8nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 国际标准封装
- 直接敷铜氧化铝(Al2O3)陶瓷基板
- 隔离电压 3600 V~
- 低导通电阻(RDS(on))的 HDMOSTM 工艺
- 低封装电感,适用于高速开关
- 开尔文源极引脚,便于驱动
应用领域
- 电动汽车交流电机调速控制
- 直流伺服和机器人驱动
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流斩波器
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