商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 690A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.4nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 国际标准封装
- 直接铜键合Al2O3陶瓷基片
- 隔离电压3600 V~
- 低导通电阻(RDS(on))的HDMOSTM工艺
- 低封装电感,适用于高速开关
- 开尔文源极引脚,便于驱动
应用领域
- 电动汽车交流电机调速
- 直流伺服和机器人驱动
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流斩波器
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