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SST25VF016B-50-4C-S2AF
SST25VF016B-50-4C-S2AF
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- 描述
- SST的25系列串行闪存采用四线、兼容SPI的接口，从而实现占用较少电路板空间的低引脚数封装，并最终降低总系统成本。SST25VF016B器件是增强型器件，与原有的SST25VFxxxA器件相比，提高了工作频率并降低了功耗。SST25VF016B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- SST25VF016B-50-4C-S2AF
- 商品编号
- C79951
- 商品封装
- SOIC-8-208mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.411克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 80MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 5uA | |
| 擦写寿命 | 10000次 | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 工作温度 | - |
商品概述
SST的25系列串行闪存采用四线、兼容SPI的接口，从而实现占用较少电路板空间的低引脚数封装，并最终降低总系统成本。SST25VF016B器件是增强型器件，与原有的SST25VFxxxA器件相比，提高了工作频率并降低了功耗。SST25VF016B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分离栅极单元设计（split-gate cell design）和厚氧化层隧穿注入器（thick-oxide tunneling injector）可实现更高的可靠性和可制造性。 SST25VF016B器件可以显著提高性能和可靠性，同时降低功耗。对于SST25VF016B，器件使用2.7 - 3.6V单电源进行写操作（编程或擦除）。消耗的总能量是应用中施加电压、电流和时间的函数。对于任何给定的电压范围，SuperFlash技术的编程电流更低、擦除时间更短；因此，在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。 SST25VF016B器件提供8引脚SOIC（200 mil）和8触点WSON（6 mm x 5 mm）封装。
商品特性
- 单电压读写操作 – 2.7 - 3.6V
- 串行接口架构 – 兼容SPI：模式0和模式3
- 高速时钟频率 – 高达80 MHz
- 超高可靠性
- 低功耗：读操作工作电流：10 mA（典型值）；待机电流：5 µA（典型值）
- 灵活的擦除功能：均一4 KB扇区；均一32 KB覆盖块；均一64 KB覆盖块
- 快速擦除和字节编程：全片擦除时间：35 ms（典型值）；扇区/块擦除时间：18 ms（典型值）；字节编程时间：7 µs（典型值）
- 自动地址递增（Auto Address Increment，AAI）编程 – 减少字节编程操作期间的总芯片编程时间
- 写操作结束检测：软件轮询状态寄存器中的BUSY位；AAI模式下SO引脚上的忙状态读出
- 保持引脚（HOLD#） – 在不取消选择器件的情况下暂停存储器的串行序列
- 写保护（WP#） – 使能/禁止状态寄存器的锁定功能
- 软件写保护 – 通过状态寄存器中的块保护位实现写保护
- 温度范围：商业级：0℃至 +70℃；工业级： -40℃至 +85℃
- 可用封装：8引脚SOIC（200 mil）；8触点WSON（6 mm x 5 mm）
- 所有器件均符合RoHS标准