- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
该器件是采用STripFET™V技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化，可实现极低的导通电阻，其品质因数（FOM）在同类产品中处于领先水平。
商品特性
- US5U30在单个TUMT5封装中集成了P沟道MOSFET和肖特基势垒二极管。
- 高速开关,低导通电阻。
- 低电压驱动(2.5V驱动)。
- 内置低正向压降(VF)肖特基势垒二极管。
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。
应用领域
- 开关
- US90AEZE-AAA-000-RE
- USB-A1SSB6
- V1B1S005-8ZZ00-000
- USB-B-S-F-W-VT-R
- V1B1S00B-1ZZ00-000
- USB-B1SMHSB6
- USB-C40-S-RA-BK-30-TR
- USB28B2034K
- USB3080-30-00-A
- V1B1S00C-CZS00-000
- USB3130-30-A
- V1B1SW0C-AZA00-0
- USB3160-30-0070-0-C
- USB4085-GF-A
- USB4140-GF-0230-C
- USBBFTV22G
- V1B2AD0C-A9C00-000
- USBBFTV2PE2G
- USBFTV22ZN
- V1B2AJ0B-A9C5C-300
- USBFTV7PE2N