商品参数
参数完善中
商品概述
该器件是采用STripFET™V技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化，可实现极低的导通电阻，其品质因数（FOM）在同类产品中处于领先水平。
商品特性
- US5U30在单个TUMT5封装中集成了P沟道MOSFET和肖特基势垒二极管。
- 高速开关,低导通电阻。
- 低电压驱动(2.5V驱动)。
- 内置低正向压降(VF)肖特基势垒二极管。
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。
应用领域
- 开关
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