UPA2793GR(0)-E1-AZ
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:7A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2793GR(0)-E1-AZ
- 商品编号
- C7090161
- 商品封装
- SOIC-8-175mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V；26mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V；45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF |
商品概述
该器件是一款采用第六代STripFET™ DeepGATE™技术开发的N沟道功率MOSFET，具有全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- RDS(on) * Qg行业标杆
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
- 极低的开关栅极电荷
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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