UPA2815T1S-E2-AT
1个P沟道 耐压:30V 电流:21A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2815T1S-E2-AT
- 商品编号
- C7090165
- 商品封装
- HWSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 14.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.76nF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
一款适用于广播发射机应用和工业应用的100 W LDMOS射频功率晶体管。该晶体管可在高频至1 GHz的宽带范围内提供100 W功率。该器件出色的耐用性和宽带性能使其非常适合数字发射机应用。
商品特性
- VDSS = -30V(TA = 25°C)
- 低导通电阻
- RDS(on)= 最大11 mΩ(VGS = -10 V,ID = -21 A)
- 支持4.5 V栅极驱动
- 带散热片的小型薄型表面贴装封装
- 无铅和无卤
应用领域
- 超高频（UHF）频段通信发射机应用
- 超高频（UHF）频段工业应用
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