UPA1740TP-E1-AZ
1个N沟道 耐压:200V 电流:7A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA1740TP-E1-AZ
- 商品编号
- C7090150
- 商品封装
- HSOP-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 440mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W；22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件采用了意法半导体（ST）专有的STripFET™技术的最新先进设计规则。适用于对效率要求极高的DC-DC转换器应用。
商品特性
- 数值受引线键合限制
- RDS(on) * Qg为行业标杆
- 降低导通损耗
- 降低开关损耗
- 低阈值器件
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。
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