STL35N75LF3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
一款基于专有STripFET技术的75 V N沟道STripFET VI功率MOSFET，采用新型栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均展现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 低栅极电荷
- 极低的导通电阻
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用