STL35N75LF3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是一款采用STripFETTM F3技术开发的N沟道功率MOSFET。其设计旨在将导通电阻和栅极电荷降至最低,以提供卓越的开关性能。
商品特性
- 低栅极电荷
- 低阈值电压器件
应用领域
- 开关应用
- SSW-134-01-G-P
- ULP40-1230
- STL73D
- SSW-134-01-T-S
- STM32C031C6T6TR
- ULS-12/5-D48NH-C
- STM32C031K6T6TR
- SSW-134-02-S-D-RA
- STM32C031K6T7TR
- SSW-134-22-S-D-VS
- STM32F410R8T6TR
- ULS-3.3/30-D48N-C
- STM32F745VGH7
- SSW-135-02-F-T-RA
- STM32F745VGH7TR
- ULS-5/20-D48NH-C
- STM32G031F4P6TR
- SSW-135-02-G-T
- STM32G031K4T3
- STM32G031K6U7
- ULT-3.3/7.5-D48N-C

