BR25H640F-2LBH2
BR25H640F-2LBH2
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BR25H640F-2LBH2
- 商品编号
- C7086535
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 10MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 4ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 | |
| 功能特性 | - | |
| 工作电压 | 2.5V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
该产品保证在工业市场长期供应。BR25H640F - 2LB是一款采用SPI总线接口方式的串行EEPROM。
商品特性
- 为工业应用提供长期产品支持。
- 高达10MHz(最大值)的高速时钟操作。
- 通过HOLDB端子实现等待功能。
- 可通过编程将部分或全部存储阵列设置为只读存储区。
- 2.5V至5.5V单电源操作,非常适合电池供电应用。
- 页写入模式,适用于工厂出货时的初始值写入。
- 适用于SPI总线接口(CPOL,CPHA)=(0, 0),(1, 1)。
- 自定时编程周期。
- 低电源电流:写入操作(5V)时为1.1mA(典型值);读取操作(5V)时为1.0mA(典型值);待机操作(5V)时为0.1μA(典型值)。
- 读取操作时具有地址自动递增功能。
- 防止写入错误:上电时禁止写入;通过命令代码(WRDI)禁止写入;通过WPB引脚禁止写入。
- 通过状态寄存器(BP1,BP0)设置写保护块,防止低电压时写入错误。
- 初始交付状态:FFh,状态寄存器WPEN、BP1、BP0为0。
- 数据保留时间超过100年。
- 写入周期超过100万次。
应用领域
工业设备、页写入
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