BR93L46FJ-WE2
BR93L46FJ-WE2
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BR93L46FJ-WE2
- 商品编号
- C7086559
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 1Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 2MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 40年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护功能;掉电/上电保护电路;内置上电复位(POR) | |
| 工作电压 | 1.8V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 1.2mA | |
| 待机电流 | 0.1uA | |
| 读取访问时间(tA) | - |
商品概述
BR93Lxx-W是一款采用串行3线式接口的串行EEPROM。
商品特性
- 采用时钟、片选、串行数据输入/输出三线通信(当输入/输出共用时)
- 支持高达2MHz的高速时钟操作(2.5V~5.5V)
- 支持页写入(最大写入时间5ms)
- 1Kbit至16Kbit容量采用相同封装和引脚配置,便于设计变更
- 支持1.8V~5.5V单电源工作
- 具备读取操作时的地址自动递增功能
- 具备防误写入功能,包括:上电时禁止写入、通过指令代码禁止写入、内置低电压误写入防止电路
- 具备编程周期的自动擦除和自动结束功能
- 通过READY/BUSY信号指示编程状态
- 低功耗:写入时(5V)典型值1.2mA;读取时(5V)典型值0.3mA;待机时(5V)典型值0.1μA(CMOS输入)
- TTL电平兼容输入/输出
- 数据保存期限40年
- 支持1,000,000次数据擦写
- 出厂时所有地址数据为FFFFh
- 提供多种封装尺寸:SOP8(5.00mm × 6.20mm × 1.71mm)、TSSOP-B8(3.00mm × 6.40mm × 1.20mm)、SOP-J8(4.90mm × 6.00mm × 1.65mm)、TSSOP-B8J(3.00mm × 4.90mm × 1.10mm)、SSOP-B8(3.00mm × 6.40mm × 1.35mm)、MSOP8(2.90mm × 4.00mm × 0.90mm)、DIP-T8(9.30mm × 6.50mm × 7.10mm)
- BRCB064GWZ-3E2
- BG055-14A-1-0650-0530-0350-L-D
- BG055-15A-1-0650-0530-0350-L-D
- BRC2016T680M
- BG055-18A-1-0650-0530-0350-L-D
- BG055-25A-1-0650-0530-0350-L-D
- BRDS120
- BG055-31A-1-0450-0530-0350-L-D
- BRDS40-R
- BG055-36A-1-0650-0530-0350-L-D
- BRPG1204W-TR
- BG055-40A-1-0650-0530-0350-L-D
- BG095-19-A-N-D
- BRS200-120RJ8
- BG120-42-A-0-N-D
- BRS300-50RJ8
- BG125-21-A-1-1-0440-N-D
- BRS300-5RJ8
- BG125-22-A-1-1-0440-N-D
- BRT300-50RJ8
- BG125-25-A-1-1-0440-N-D

