TP65H050G4BS
1个N沟道 耐压:650V 电流:34A
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- 品牌名称
- Transphorm
- 商品型号
- TP65H050G4BS
- 商品编号
- C7073212
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 119W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
TP65H050G4BS是一款650V、50 mΩ的氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),为常开型器件,采用了Transphorm公司的第四代平台。它将先进的高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)与低压硅MOSFET相结合,具备卓越的可靠性和性能。 第四代SuperGaN平台采用先进的外延工艺和专利设计技术,简化了制造工艺,同时通过降低栅极电荷、输出电容、交越损耗和反向恢复电荷,提升了相对于硅器件的效率。
商品特性
- 符合JEDEC标准的GaN技术
- 动态导通电阻(RDS(on) eff)生产测试
- 坚固耐用的设计,具体表现为
- 宽栅极安全裕量
- 瞬态过压能力
- 增强的浪涌电流能力
- 极低的反向恢复电荷(QRR)
- 降低的交越损耗
应用领域
-数据通信-广泛的工业领域-光伏逆变器-伺服电机
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