TP65H050G4BS
1个N沟道 耐压:650V 电流:34A
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- 品牌名称
- Transphorm
- 商品型号
- TP65H050G4BS
- 商品编号
- C7073212
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,22A | |
| 耗散功率(Pd) | 119W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速功率开关
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准，并符合WEEE指令2002/96/EC
- 根据IEC 61249-2-21标准，无卤
应用领域
- 直流-直流转换器-电池电源管理-或门场效应管/负载开关
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