T1180P6-SD-F
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 光电二极管 | |
| 直流反向耐压(Vr) | 60V | |
| 接收角度 | - | |
| 峰值波长 | 810nm |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 频谱范围 | 590nm~1010nm | |
| 暗电流 | 1nA | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ |
商品概述
- 封装类型：芯片
- 封装形式：单芯片无铅
- 尺寸（长×宽×高，单位：mm）：0.67×0.3×0.28
- 辐射敏感面积（单位：mm²）：0.055
- 峰值灵敏度波长：810 nm
- 符合RoHS标准
- 高光敏性
- 无卤素
- 适用于可见光和近红外辐射
- 响应时间快
- 半灵敏度角：φ = ±60°
商品特性
- T1180P6是一款高速、高灵敏度的PIN光电二极管芯片，敏感面积为0.055 mm²，可检测可见光和近红外辐射。阳极是顶部的键合焊盘。
应用领域
- 高速光电探测器
其他推荐
- T12X0105KAB25
- T12X0474MAB25
- SXT3249BA27-11.0592M
- T12XB220JAB25
- SXT3249BA27-12.000M
- T13Y103KAB25
- T13Y223KAB25
- SXT3249BA27-16.384M
- T1460101120-000
- SXT3249BA27-18.432M
- T1460161125-000
- T1460241221-000
- SXT3249BA38-16.384M
- T1490100232-000
- T1490101129-000
- T1490101221-000
- SXT3249BA48-14.31818M
- T1490161132-000
- SXT3249BA48-19.200M
- T15W4NR-F
- T1620063105-000