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R6504ENJTL
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- R6504ENJTL
- 商品编号
- C7037547
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF |
商品概述
MDmesh™ 是一种全新的革命性 MOSFET 技术，它将多漏极工艺与 PowerMESH™ 横向布局相结合。由此生产的产品具有极低的导通电阻、极高的 dv/dt 以及出色的雪崩特性。采用专有条形技术后，整体动态性能明显优于同类竞品。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 易于并联使用
- 无铅镀层;符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用