商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 205mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF |
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 易于并联使用
- 无铅电镀；符合RoHS标准
应用领域
- 开关
- R6520KNX3C16
- R6524KNXC7G
- R6AAA-5BB1
- R6ABLKBLKAF
- SXT22418FB07-12.288M
- R6BBLKBLKAF
- R6S_R2_00001
- R713FE2-SXXX2B4GRW
- SXT22418FB07-14.7456M
- R75QI26804000J
- SXT22418FB07-16.384M
- R76IF24704030K
- SXT22418FB07-22.1184M
- SXT22418FB07-24.576M
- SXT22418FB16-27.000M
- R7F701462EAFB-C#KA0
- SXT22418FB17-12.288M
- SXT22418FB17-13.000M
- R7F7016533ABG-C#AC1
- R7FA2E1A52DFJ#BA0
- R7FA2E1A52DLM#BC0