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SSM3K16FU,LF
1个N沟道 耐压:20V 电流:100mA
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- 描述
- 特性：适合高密度安装，封装紧凑。 低导通电阻：Ron = 3.0Ω 最大 (@VGS = 4V)；Ron = 4.0Ω 最大 (@VGS = 2.5V)；Ron = 15Ω 最大 (@VGS = 1.5V)。应用：高速开关应用。 模拟开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K16FU,LF
- 商品编号
- C7018610
- 商品封装
- SC-70(SOT-323)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02948克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 适用于高密度安装,封装紧凑
- 低导通电阻:Ron = 3.0 Ω(最大值)(@VGS = 4 V)
- Ron = 4.0 Ω(最大值)(@VGS = 2.5 V)
- Ron = 15 Ω(最大值)(@VGS = 1.5 V)
应用领域
-高速开关应用-模拟开关应用