2SJ635-TL-E
1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 2SJ635-TL-E
- 商品编号
- C6997443
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W；30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF@20V |
商品特性
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(on)
- 湿度敏感度等级3级
- 无卤素，“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准
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