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2SK3564(STA4,Q,M)实物图
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2SK3564(STA4,Q,M)

1个N沟道 耐压:900V 电流:0.2A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.7Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|γfs| = 2.6S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 100μA(最大值)(VDS = 720V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关稳压器应用
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
2SK3564(STA4,Q,M)
商品编号
C6997454
商品封装
TO-220SIS​
包装方式
管装
商品毛重
2.574克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on))3.7Ω@10V,1.5A
耗散功率(Pd)408W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)700pF@25V
反向传输电容(Crss)15pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)75pF

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起订量:1 个50个/管

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