2SK3564(STA4,Q,M)
1个N沟道 耐压:900V 电流:0.2A
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- 描述
- 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.7Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|γfs| = 2.6S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 100μA(最大值)(VDS = 720V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关稳压器应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK3564(STA4,Q,M)
- 商品编号
- C6997454
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.574克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 408W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个50个/管
总价金额:
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