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RSQ035N06HZGTR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RSQ035N06HZGTR

1个N沟道 耐压:60V 电流:3.5A

品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
RSQ035N06HZGTR
商品编号
C6995717
商品封装
TSMT6(SC-95)​
包装方式
编带
商品毛重
0.044克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3.5A
导通电阻(RDS(on))70mΩ@10V,3.5A
属性参数值
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)6.5nC@5V
输入电容(Ciss)430pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS C7是高压功率MOSFET的一项革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。 600V CoolMOS C7系列融合了领先SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。 600V C7是首款导通电阻RDS(on)与芯片面积A乘积低于1Ω·mm²的技术。

商品特性

  • 适用于硬开关和软开关(PFC和高性能LLC)
  • 将MOSFET的dv/dt鲁棒性提升至120V/ns
  • 凭借同类最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg提高效率
  • 同类最佳的导通电阻RDS(on)/封装

应用领域

  • 用于高功率/高性能开关电源(SMPS)的PFC级和PWM级(TTF、LLC),如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域。

数据手册PDF