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SCT3060ALHRC11

1个N沟道耐压:650V 电流:39A

品牌名称: ROHM(罗姆)
商品型号: SCT3060ALHRC11
商品编号: C6999652
商品封装: TO-247N
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 D²PAK (TO - 263)是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大至HEX - 4尺寸的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具有最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK (TO - 263)适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2 W的功率。低轮廓应用可选用通孔版本（SiHFZ48L）。

商品特性

符合AEC-Q101标准
低导通电阻
快速开关速度
快速反向恢复
易于并联
驱动简单
无铅引脚镀层;符合RoHS标准

应用领域

-汽车-开关模式电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	39A
	导通电阻(RDS(on))	78mΩ@18V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	165W
	阈值电压(Vgs(th))	5.6V
	栅极电荷量(Qg)	58nC@18V
	输入电容(Ciss)	852pF