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MCQ12N10Y-TP
1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCQ12N10Y-TP
- 商品编号
- C6989115
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.135nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计允许像其他SOT或SOIC封装一样轻松进行自动拾放，并且由于散热片的散热片增大，还具有改善热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中，功率耗散可能超过1.25 W。
商品特性
- 表面贴装，卷带包装可选
- 动态dV/dt额定值
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单