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MCT04N10B-TP
1个N沟道 耐压:100V 电流:4A
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- 描述
- 特性：沟槽功率中压MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻RDS(on)的高密度单元设计。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级3。 无卤“绿色”器件。 无铅涂层/符合RoHS标准
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCT04N10B-TP
- 商品编号
- C6989190
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.143nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
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