RQ6E080AJTCR
1个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ6E080AJTCR
- 商品编号
- C6987749
- 商品封装
- TSMT6(SC-95)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 950mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.81nF |
商品概述
650 V CoolSiC™ 基于英飞凌 20 多年来研发的成熟碳化硅技术打造。借助宽带隙碳化硅材料特性，650 V CoolSiC™ MOSFET 集卓越性能、高可靠性和易用性于一身。它适用于高温和恶劣工况，可实现系统最高效率的简易且经济高效的部署。
商品特性
- 低导通电阻
- 小型表面贴装封装(TSMT6)
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
应用领域
-开关应用