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RRL035P03TR

1个P沟道耐压:30V 电流:3.5A

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描述: 特性：低导通电阻。内置G-S保护二极管。小尺寸表面贴装封装（TUMT6）。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：开关
品牌名称: ROHM(罗姆)
商品型号: RRL035P03TR
商品编号: C6987798
商品封装: TUMT6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.027克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。 D²PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具有最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。

商品特性

低导通电阻
内置栅源保护二极管
小型表面贴装封装(TUMT6)
无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准

应用领域

-开关应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	3.5A
	导通电阻(RDS(on))	72mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	1W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	800pF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-