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IRFL014TRPBF-BE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFL014TRPBF-BE3

1个N沟道 耐压:60V 电流:2.7A

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描述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。SOT-223封装设计用于采用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装。其独特的封装设计允许像其他SOT或SOIC封装一样轻松进行自动拾放,并且由于用于散热的加大焊片,具有改善热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中,功率耗散可能超过1.25W。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFL014TRPBF-BE3
商品编号
C6969404
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.44克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2.7A
导通电阻(RDS(on))200mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11nC@10V
输入电容(Ciss)300pF
反向传输电容(Crss)29pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)160pF

数据手册PDF

优惠活动

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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