IRFZ48STRLPBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFZ48STRLPBF
- 商品编号
- C6969418
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W；190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势,再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 D2PAK (TO - 263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳最大至HEX - 4尺寸的芯片。在现有的任何表面贴装封装中,它具有最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D2PAK (TO - 263)适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可耗散高达2 W的功率。 低轮廓应用可选用通孔版本(SiHFZ48L)。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 表面贴装(IRFZ48S、SiHFZ48S)
- 低轮廓通孔(SiHFZ48L)
- 175°C工作温度
- 快速开关