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IXTN210P10T实物图
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IXTN210P10T

IXTN210P10T

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商品型号
IXTN210P10T
商品编号
C6969036
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)830W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)740nC
属性参数值
输入电容(Ciss)69.5nF
反向传输电容(Crss)1.1nF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)4.07nF
栅极电压(Vgs)±15V

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低本征栅极电阻
  • 带氮化铝隔离的miniBLOC封装
  • 雪崩额定
  • 扩展正向偏置安全工作区(FBSOA)
  • 快速本征整流器
  • 低RDS(ON)和 QG
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-自动测试设备-电流调节器-电池充电器应用

数据手册PDF