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IMBF170R450M1XTMA1
1个N沟道 耐压:1.7kV 电流:9.8A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBF170R450M1XTMA1
- 商品编号
- C6968776
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.98克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 16pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ |
商品特性
- 革命性的半导体材料——碳化硅
- 针对反激拓扑进行优化
- 12V/0V栅源电压，与大多数反激控制器兼容
- 极低的开关损耗
- 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V
- 完全可控的dV/dt，用于电磁干扰优化
应用领域
- 能源发电
- 工业电源
- 基础设施
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