R1LV1616HBG-4SI#S0
R1LV1616HBG-4SI#S0
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- R1LV1616HBG-4SI#S0
- 商品编号
- C6960430
- 商品封装
- TFBGA-48(8x9.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置ECC功能 |
商品概述
R1LV1616HBG - I系列是16兆位静态随机存取存储器（SRAM），采用1兆字×16位结构，并嵌入了ECC（错误检查与纠正）功能。该系列通过采用CMOS工艺技术（6晶体管存储单元），实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。它具有低功耗待机模式，因此适用于电池备份系统。该系列采用48球塑料FBGA封装，适用于高密度表面贴装。
商品特性
- 单3.0V电源：2.7V ~ 3.6V
- 快速访问时间：45/55ns（最大值）
- 功耗：
- 工作状态：9mW/MHz（典型值）
- 待机状态：1.5μW（典型值）
- 完全静态存储器
- 无需时钟或定时选通
- 访问时间和周期时间相等
- 数据输入输出共用
- 三态输出
- 电池备份操作
- 具备两个用于电池备份的芯片选择
- 温度范围：-40°C ~ +85°C
- 嵌入ECC（错误检查与纠正）功能，用于单比特错误纠正