R1RP0416DGE-2PI#B1
R1RP0416DGE-2PI#B1
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- R1RP0416DGE-2PI#B1
- 商品编号
- C6960438
- 商品封装
- SOJ-44
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
R1RP0416DI系列是一款4兆位高速静态随机存取存储器，组织形式为256千字×16位。它采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）和高速电路设计技术，实现了高速访问时间。它非常适合需要高速、高密度存储器和宽位宽配置的应用，如系统中的高速缓存和缓冲存储器。它采用400密耳44引脚塑料SOJ和400密耳44引脚塑料TSOPII封装。
商品特性
- 单5.0V电源：5.0V ± 10%
- 访问时间：10ns / 12ns（最大）
- 完全静态存储器
- 无需时钟或定时选通
- 访问时间和周期时间相等
- 直接与TTL兼容
- 所有输入和输出
- 工作电流：170mA / 160mA（最大）
- TTL待机电流：40mA（最大）
- CMOS待机电流：5mA（最大）
- 中心VCC和VSS型引脚输出
- 温度范围：-40至 +85°C
应用领域
- 高速缓存
- 缓冲存储器