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PJA3415AE-AU_R1_000A1
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.3A
- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@-4.5V，ID@-4.3A < 52mΩ。 RDS(ON)，VGS@-2.5V，ID@-3.0A < 60mΩ。 RDS(ON)，VGS@-1.8V，ID@-1.5A < 80mΩ。 先进的沟槽处理技术。 专为开关负载、PWM应用等设计。 ESD防护2KV HBM。 通过AEC-Q101认证。 符合欧盟RoHS 2.0的无铅标准。 符合IEC 61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJA3415AE-AU_R1_000A1
- 商品编号
- C6951897
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 907pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 当VGS为 - 4.5V、ID为 - 4.3A时,RDS(ON) < 52mΩ
- 当VGS为 - 2.5V、ID为 - 3.0A时,RDS(ON) < 60mΩ
- 当VGS为 - 1.8V、ID为 - 1.5A时,RDS(ON) < 80mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等特殊设计
- 具备2KV HBM静电防护
- 通过AEC-Q101认证
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑化合物
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