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PJD6NA40_R2_00001

1个N沟道耐压:400V 电流:6A

品牌名称: PANJIT(强茂)
商品型号: PJD6NA40_R2_00001
商品编号: C6951942
商品封装: TO-252AA
包装方式: 编带
商品毛重: 0.437克(g)

商品参数

商品概述

MwT-1是一款砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）器件，其标称栅长为0.25微米，栅宽为630微米，非常适合在100 MHz至12 GHz频率范围内需要高增益的应用。MwT-1的直线几何结构使其在宽带（如2至6 GHz）或窄带应用中同样有效。该芯片采用MwT可靠的金属系统制造，并且对每个晶圆上的器件进行筛选以确保可靠性。所有芯片均采用MwT专利的“类金刚石碳”工艺进行钝化处理，以提高耐用性。设计人员可以利用MwT独特的BIN选择功能，从较窄的漏源饱和电流（Idss）范围中选择器件，确保电路运行的一致性。

商品特性

当VGS为10 V、ID为3 A时,导通电阻RDS(ON) < 0.95 Ω
高开关速度
改善的dv/dt能力
低栅极电荷
低反向传输电容
符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
符合IEC61249标准的绿色模塑料(无卤)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	400V
	连续漏极电流(Id)	6A
	导通电阻(RDS(on))	950mΩ@10V

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	11.4nC@10V
	输入电容(Ciss)	553pF
	工作温度	-55℃~+150℃