- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 345pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 230pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ |
商品概述
氮化镓具有极高的电子迁移率和低温度系数，可实现极低的导通电阻RDS(on)，而其横向器件结构和多数载流子二极管则提供了极低的栅极电荷QG和零反向恢复电荷QRR。最终结果是，该器件能够处理需要非常高开关频率和短导通时间的任务，以及导通状态损耗占主导的任务。EPC2202 eGaN FET仅以带焊条的钝化裸片形式提供。裸片尺寸为2.1mm×1.6mm。
商品特性
- 超高效率
- 超低导通电阻RDS(on)
- 超低Qg
- 超小尺寸
应用领域
激光/脉冲功率应用、高功率密度DC-DC转换器、D类音频、高强度前照灯