温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
EPC8004
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 450pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 52pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
氮化镓具有极高的电子迁移率和低温度系数,可实现极低的导通电阻RDS(on),而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的栅极电荷QG和零反向恢复电荷QRR。最终结果是,该器件既能处理需要极高开关频率和短导通时间的任务,也能应对导通损耗占主导的应用场景。
商品特性
- 超高效率
- 超低导通电阻RDS(on)
- 超低栅极电荷QG
- 超小封装尺寸
应用领域
- 超高速直流-直流转换
- 射频包络跟踪
- 无线电力传输
- 游戏机和工业运动传感(激光雷达)